高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。主要产品牌号有：高纯金Au01、纯金Au1、金锗AuGe2-12、金锗镍AuGe11.5Ni1-5、金铍AuBe1-2.5、金镓AuGa1、金锡AuSn20、AuSn80、金硅AuSi3等；高纯金及合金通常加工成规则颗粒（块、丝段、片）及不规则颗粒等规格（俗称蒸发源），或加工成圆形或方型溅射靶材（俗称靶材），使用真空蒸发或磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜，如Ni/Au、Pt/Au、Cr/Au、Ni/Cr/Au、Ni/Pt/Au、Au/AuBe、Au/AuGeNi等多种金属化膜系统。大量应用于制造发光二极管（LED），军用和民用微波通信器件，航天、航空等重要领域用半导体化合物（GaAs等）芯片太阳能电池等。
化学成分
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序号 |
合金牌号 |
主成分 |
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Au |
Ge |
Ni |
Ga |
Be |
Sn |
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1 |
Au1 |
≥99.99 |
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2 |
Au01 |
≥99.999 |
—— |
—— |
—— |
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3 |
Au98Ge |
98±0.3 |
余量 |
—— |
—— |
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4 |
Au88Ge |
88±0.5 |
余量 |
—— |
—— |
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5 |
Au86.5GeNi |
86.5±0.5 |
余量 |
2±0.3 |
—— |
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6 |
Au86GeNi |
86±0.5 |
余量 |
3±0.3 |
—— |
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7 |
Au84GeNi |
84±0.5 |
余量 |
4±0.4 |
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8 |
Au83.5GeNi |
83.5±0.5 |
余量 |
5±0.4 |
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9 |
Au99Be |
余量 |
—— |
—— |
—— |
1±0.1 |
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10 |
Au99Ga |
余量 |
—— |
—— |
1±0.1 |
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11 |
Au80Sn |
80±0.5 |
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余量 |
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注1：经供需双方协商，可供其它成分的产品。 |
外形尺寸(mm)
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合金牌号 |
形状 |
规格 |
允许偏差 |
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Au1 |
线材 |
直径0.25～3.0 |
±0.05 |
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Au01 |
线材 |
直径1.0～3.0 |
±0.1 |
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Au01 |
片材 |
厚度0.2～0.5 |
±0.1 |
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Au99Ga |
线材 |
直径0.3～1.0 |
±0.02 |
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AuGe、AuGeNi |
片材 |
厚度0.2～0.5 |
±0.1 |
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Au99Be |
不规则颗粒 |
颗粒单个重量为0.05g～1.5g |
—— |
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Au1、Au01 |
规则颗粒 |
￠2×5、￠3×4、￠3×6、≠2×10×10、 |
—— |
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AuGe2 |
规则颗粒 |
≠0.6×6×6 |
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AuGe2、Au80Sn AuGe12、AuGe11-12Ni1-5、Au99Be |
规则颗粒 |
￠4×4、￠4×6 |
—— |
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注1：经供需双方协商，可供其它规格和允许偏差的产品。 |
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