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金.铂.钯.钌靶材及铂坩埚 >> 溅射靶材 >> 金基溅射靶材
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产品名称: |
金基溅射靶材 |
牌号规格: |
Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4 |
用途备注: |
金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面,形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。 |
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产 品 详 情 |
高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面,形成欧姆接触膜、电极和连线膜,可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管(LED),军用和民用微波通信器件,航天、航空等重要领域用半导体化合物以及芯片太阳能电池等领域。
化学成分
序号 |
合金牌号 |
主成分 |
Au |
Ge |
Ni |
Ga |
Be |
1 |
Au1 |
≥99.99 |
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2 |
Au01 |
≥99.999 |
—— |
—— |
—— |
—— |
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Au88Ge |
88±0.5 |
余量 |
—— |
—— |
—— |
4 |
Au83.5GeNi |
83.5±0.5 |
余量 |
5±0.4 |
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注1:经供需双方协商,可供其它成分的产品。 |
外形尺寸(mm)
合金牌号 |
形状 |
规格 |
允许偏差 |
厚度 |
允许偏差 |
Au1、Au01 |
圆形 |
100-250 |
±0.1 |
3~6 |
±0.2 |
方形 |
127×381 |
±1 |
3~6 |
±0.2 |
AuGe12、Au83.5GeNi、 |
圆形 |
100-250 |
±0.3 |
6 |
±0.5 |
方形 |
127×381 |
±1 |
6 |
±0.5 |
注1:经供需双方协商,可供其它规格和允许偏差的产品。 |
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点击数:5972 录入时间:2012-6-26 【打印此页】 【关闭】 |
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